南通至晟微电子

热烈恭贺南通至晟微电子技术有限公司(下文简称“至晟微")，深圳办事处办公室乔迁完成，地址位于深圳市南山区西丽留仙大道
众冠时代广场A座 (尚美国际）39楼3909，于2022年5月20日正式开业！

南通至晟微电子技术有限公司
Novaco Microelectronics Technologies Ltd.

南通至晟微电子技术有限公司

集科研开发、生产运营、销售服务于一体的多元化高新技术企业有限公司

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南通至晟微电子技术有限公司盛大开业

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南通至晟微电子技术有限公司（以下简称“至晟微”或Novaco）成立2016年12月，由国内外射频微波行业团队创办，专注于射频微波IC设计。具有业内领先的射频前端产品和微波毫米波电路开发能力，技术覆盖材料工艺、器件设计、建模、DOE和微波电路、组件研发工作，精通IIIV化合物半导体产品开发程。经多年技术积累和产品的不断革新升级，当前已成为业内领先水平的通信产品IC设计公司。主要业务范围覆盖 IoT/PA，基站PA，手机PA等产品路线及研发方向。Novaco凭借专业的技术开发团队和扩展性的市场行业经验在RFIC领域努力奋进，力争上游！

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Product Center
产品中心

射频前段模块
射频开关
低噪声放大器
基站产品
功率产品

[NV7644 (Cat.1/Cat.4)]
NV7644-31

2022-11-04

市场价: ￥0.00

价格: ￥0.00

Multiband 3G/LTE handsets WCDMA BandsI,II,III,IV,V,VIII,IX TDSCDMA Bands34,39 FDDLTEBands1,2,3,4,5,7,8,9,12,13,17,20,28,30 TDDLTEBands38,39,40,41
[MMMB]
NV7643

2017-12-05

市场价: ￥0.00

价格: ￥0.00

    Applications  &  Feature l  Multiband 3G/LTEhandsetsl  WCDMA Bands I, II, III, IV, V, VIII, IXl  TD-SCDMA Bands 34,39l  FDD LTE Bands 1,2,3,4,5,7,8,9,12,13, 17,19,20,25,26,28, 30,66,71l  TDD LTE Bands 34,38,39,40,41l  C2K Bands BC0,1,4, 6,10,15l  Two T/R (RX) ports and 14 outputsl  Industry-leading PAE for 3G/4Gl  Optimized for APT DCDC operationl  ully programmable Mobile Industry Processor Interface (MIPI) controll  MIPI programmable bias modes optimize best efficiency / linearity trade-off for3G and 4G; minimizes DG09 for 3G.l  Small, low profilepackage:- 4.0 x 6.8 x 0.8 mm Max.- 42-pad configuration
[TXM]
NV7916

2017-12-05

市场价: ￥0.00

价格: ￥0.00

    Applications  &  Featuresl  Cellular handsets encompassing Quad-Band GSM/EDGE, Dual-Band TD-SCDMA,and TDD LTE- Class 4 GSM850/900- Class 1 DCS1800/PCS1900- Class 12 GPRS multi-slot operation- Linear EDGE operation- TD-SCDMA Bands 34/39- TDD LTE Band 34/39l  LGA: 5.5 mm x 5.3 mm x 0.85 mm Max l  Fully programmable MIPI RFFE control l  Fourteen low-insertion-loss TRx ports (five ultra-low loss) with enhanced linearity, for state-of-the-art 4G performance and GPS / WiFi compatibilityl  Integrated ISM Band Notch Filterl  8KV ESD Protection at Antenna Portl  Integrated broadband directional couplerl  High Efficiency (inclusive of coupler)l  Current limiting and over-voltage protection for ruggedness and extended battery lifel  Power control circuitry built-in for improved TRP variation
[MMMB]
NV7643-55

2022-06-14

市场价: ￥0.00

价格: ￥0.00

Applications Multiband 3G/LTE handsets WCDMA Bands I, II, III, IV, V, VIII, IX TD-SCDMA Bands 34,39 FDD LTE Bands 1, 2, 3, 4, 5, 7, 8, 9, 12, 13, 17, 20, 28, 30 TDD LTE Band 38, 39, 40, 41 Features Two T/R (RX) ports and 9 outputs Industry-leading PAE for 3G/4G Optimized for APT DCDC operation Fully programmable Mobile Industry Processor Interface (MIPI) control MIPI programmable bias modes optimize best efficiency / linearity trade-off for 3G and 4G; minimizes DG09 for 3G. Small, low profile LGA package: - 4.0 x 6.8 x 0.80 mm - 42-pad configuration
[MMMB]
NV7645

2022-06-14

市场价: ￥0.00

价格: ￥0.00

Applications Multiband 3G/LTE handsets WCDMA Bands I, II, III, IV, V, VIII, IX TD-SCDMA Bands 34,39 FDD LTE Bands 1, 2, 3, 4, 5, 7, 8, 9, 12, 13, 17, 20, 28, 30 TDD LTE Bands 34,38, 39, 40, 41 Features One T/R (RX) ports and 6 outputs Industry-leading PAE for 3G/4G Optimized for APT DCDC operation Fully programmable Mobile Industry Processor Interface (MIPI) control MIPI programmable bias modes optimize best efficiency / linearity trade-off for 3G and 4G; minimizes DG09 for 3G. Small, low profile LGA package: - 3.0 x 3.0 x 0.83 mm - 22-pad configuration
[NV7644 (Cat.1/Cat.4)]
NV7644

2022-02-07

市场价: ￥0.00

价格: ￥0.00

    Applications  &  Feature l Multiband 3G/LTE handsetsl  WCDMA Bands I, II, III, IV, V, VIII, IXl  TD-SCDMA Bands 34,39l  FDD LTE Bands 1,2,3,4,5,7,8,9,12,13, 17,19,20,25,26,28, 30,66,71l  TDD LTE Bands 34,38,39,40,41l  C2K Bands BC0,1,4, 6,10,15l  Industry-leading PAE for 3G/4Gl  Optimized for APT DCDC operationl  ully programmable Mobile Industry Processor Interface (MIPI) controll  MIPI programmable bias modes optimize best efficiency / linearity trade-off for3G and 4G; minimizes DG09 for 3G.l  Small, low profile LGA package:           - 4.0 x 4.0 x 0.81 mm.           - 29-pad configuration        - 3G and 4G; minimizes DG09 for 3G.

[Power Electricity]
NM120040T4

2024-03-27

市场价: ￥0.00

价格: ￥0.00

N-channel 1200V SiC Power MOSFET in TO247-4 Package
[Power Electricity]
NM120040T3

2024-03-27

市场价: ￥0.00

价格: ￥0.00

N-channel 1200V SiC Power MOSFET in TO247-3 Package

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无冲突矿产政策

对于来自冲突或高风险地区的3TG(钽Ta，锡Sn，钨W，金Au的缩写)等矿物、通过走私贸易途径、被非政府武装控制或非法的军事派别控制的金属矿产均属于冲突矿产。南通至晟微电子要求供货商遵守责任商业联盟行为准则(RBA)，只从对环境和社会负责的供货商采购材料，全体供应商不能采购和使用冲突矿产，符合无冲突矿产要求，并从责任矿产倡议(RMI)确认的责任矿产保证流程(RMAP)认证冶炼厂和精炼厂清单中采购（http://www.responsiblemineralsinitiative.org/）。所有供应商应采购通过RMAP认证符合无冲突金属要求的冶炼厂和精炼厂的金属。没有通过RMAP认证的冶炼厂和精炼厂必须从供应链中移除。

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